薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-313664
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124678
出願日： 2000年10月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】低融点ガラス基板上に高品質の熱酸化膜を形成しながらも、ガラス基板の熱収縮を抑えることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】半導体薄膜5と、酸化膜3と、ゲート電極とを含む積層構造を有する薄膜トランジスタを製造するために、絶縁性の基板0に非単結晶性のシリコンからなる半導体薄膜5を形成する半導体薄膜形成工程と、半導体薄膜5を島状にパタニングして薄膜トランジスタの素子領域を形成する素子領域形成工程と、素子領域形成工程の前又は後で、半導体薄膜5の上にゲート酸化膜3を形成する酸化膜形成工程とを行う。ここで、酸化膜形成工程は、半導体薄膜5の上にシリコンの酸化物を堆積する堆積処理と、酸化能力が有る気体を含む加圧雰囲気下で半導体薄膜5を熱酸化してシリコンの酸化膜を生成する熱酸化処理とを組み合わせて行い、加熱時間を短縮する。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜と、酸化膜と、ゲート電極とを含む積層構造を有する薄膜トランジスタを製造するために、絶縁性の基板に非単結晶性のシリコンからなる半導体薄膜を形成する半導体薄膜形成工程と、該半導体薄膜を島状にパタニングして薄膜トランジスタの素子領域を形成する素子領域形成工程と、素子領域形成工程の前又は後で、該半導体薄膜の上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程とを行う薄膜トランジスタの製造方法において、前記酸化膜形成工程は、該半導体薄膜の上にシリコンの酸化物を堆積する堆積処理と、酸化能力が有る気体を含む加圧雰囲気下で該半導体薄膜を熱酸化してシリコンの酸化膜を生成する熱酸化処理とを組み合わせて行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (11件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/324 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H05B 33/14

FI (10件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H01L 21/31 B , H01L 21/316 S , H01L 21/324 Z , H05B 33/14 A , H01L 29/78 617 V , G02F 1/136 500 , H01L 27/08 321 A , H01L 29/78 617 U

Fターム (145件)：

2H092GA59 , 2H092JA29 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA38 , 2H092JA39 , 2H092JA42 , 2H092JA43 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092JB43 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA12 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA22 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092PA07 , 2H092RA05 , 3K007AB07 , 3K007AB11 , 3K007CB01 , 3K007DA01 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 5C094AA15 , 5C094AA21 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA29 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA14 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094FB16 , 5C094GB10 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AD09 , 5F045AE30 , 5F045BB16 , 5F045BB17 , 5F045CA15 , 5F045DC66 , 5F045DP19 , 5F045EB02 , 5F045EC02 , 5F045EK06 , 5F048AB10 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BC16 , 5F048BG07 , 5F058BA20 , 5F058BB04 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BF58 , 5F058BF63 , 5F058BH01 , 5F058BJ10 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL06 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ12 , 5F110QQ19 , 5F110QQ21

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-327978 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭63-304670
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-296309 出願人：三星電子株式会社

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