特許

J-GLOBAL ID：200903065799900092

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 岩戸 薫
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-282113
公開番号（公開出願番号）：特開2007-093909
出願日： 2005年09月28日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造に於いて、露光ラチィチュード、PEB温度依存性改良、プロファイル改良、スカム低減について、高次元での両立を可能にしたポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)下記一般式(A1)で表される環構造を主鎖に有する繰り返し単位を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)一般式(A1)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 24/00

FI (3件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F24/00

Fターム (29件)：

2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  4J100AU28P ,  4J100BA05P ,  4J100BA11P ,  4J100BA53P ,  4J100BC02P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC23P ,  4J100BC26P ,  4J100BC43P ,  4J100CA01 ,  4J100JA37

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-209680   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 5-メチレン-1,3-ジオキソラン-4-オン誘導体、その製造方法、上記誘導体を重合して得られる重合体、レジスト組成物、および、パターン形成方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2002010938   出願人：三菱レイヨン株式会社