半導体集積回路装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-246147
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077625
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】接続孔のアスペクト比を低下させる。【解決手段】ゲート電極8A上のキャップ絶縁膜12を酸化シリコン膜12aとその上に形成された窒化シリコン膜12bとの積層構造とした。コンタクトホール19、20の形成に際しては、酸化シリコン膜の方が窒化シリコン膜よりもエッチング除去され易い条件でエッチングをし、そのエッチング処理を窒化シリコン膜13が露出した時点で終了する。続いて、窒化シリコン膜の方が酸化シリコン膜よりもエッチング除去され易い条件でエッチングをし、半導体基板1が露出するコンタクトホール19、20を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路装置の製造方法であって、(a)半導体基板上に第1導体膜、第1絶縁膜および第2絶縁膜を下層から順に被着した後、これをパターニングすることにより複数の第1導体膜パターンを形成する工程と、(b)前記(a)工程後の半導体基板上、第1導体膜パターンの側壁および第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成した後、その第3絶縁膜上に第4絶縁膜を形成する工程と、(c)前記(b)工程後、前記第4絶縁膜上に、前記複数の第1導体膜パターンのうちの互いに隣接する第1導体膜パターンの間に第1の開口を有するマスクを形成した後、前記マスクの第1の開口から露出した前記第4絶縁膜を、前記第4絶縁膜の方が第3および第2絶縁膜よりもエッチング除去され易い条件でエッチングし、前記第4絶縁膜に第2の開口を形成する工程と、(d)前記(c)工程後、前記第3絶縁膜の方が第1絶縁膜および第4絶縁膜よりもエッチング除去され易い条件で、前記第4絶縁膜の第2の開口から露出した前記第3絶縁膜に異方性エッチング処理を施し、前記互いに隣接する第1導体膜パターン間における第3絶縁膜に前記半導体基板の上面が露出するような第3の開口を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 21/28 L , H01L 21/90 C

Fターム (43件)：

4M104AA01 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB24 , 4M104BB26 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104DD02 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD37 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 5F033AA02 , 5F033AA04 , 5F033AA12 , 5F033AA13 , 5F033AA17 , 5F033AA47 , 5F033AA61 , 5F033BA15 , 5F033BA24 , 5F033EA02 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083HA06 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083KA05 , 5F083LA12 , 5F083MA02 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR06 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-332310 出願人：エル・ジー・セミコン・カンパニー・リミテッド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-060954 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-325337 出願人：株式会社日立製作所

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