半導体装置とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-158464
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070191
出願日： 1997年06月16日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】配線層と拡散層のコンタクト抵抗を低減し、制御性に優れた微細なトランジスタを有する半導体装置及びこの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板100上に形成されたゲート絶縁膜1上に、上部に絶縁膜4が積層されたゲート電極2を形成する。ゲート電極2の側壁に側壁絶縁膜6を形成し、ゲート電極2と側壁絶縁膜6とを覆うように絶縁層7を形成する。拡散層9を形成した後、全面に形成された層間絶縁膜10と絶縁層7とを選択的にエッチングしてゲート電極に自己整合的にゲート絶縁膜1を露出する開口部12を形成する。この開口部底部のゲート絶縁膜1を除去して半導体基板100の表面と接続された配線層13を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜上に、上部に第1の絶縁膜が積層されたゲート電極を形成する工程と、このゲート電極をマスクとして前記半導体基板に第1の拡散層を形成する工程と、前記ゲート電極の側壁に側壁絶縁膜を形成する工程と、前記側壁絶縁膜を覆うように、第2の絶縁膜を形成する工程と、前記側壁絶縁膜上の第2の絶縁膜をマスクとしてイオン注入を行い、前記半導体基板に第2の拡散層を形成する工程と、前記半導体基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜および前記第2の絶縁膜を選択的にエッチングして前記ゲート電極に自己整合的に開口部を形成して、この開口部底部の半導体基板の表面を露出させる工程と、前記露出された半導体基板の表面と接続された配線層を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/90 D , H01L 21/28 L , H01L 27/10 681 B , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-021030
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-067130 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-066431 出願人：株式会社東芝

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