特許
J-GLOBAL ID：200903065834491001
窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-137162
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338638
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 優れた発光性能を有し、歩留良く所望の形、サイズに切断することができる窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層上面の他に第1表面と第2表面とを有し、第1表面は、p型窒化ガリウム系半導体層上面の外側に位置するp型窒化ガリウム系半導体層を、n型窒化ガリウム系半導体層までエッチングすることにより形成され、かつ第2表面は、第1表面の外側に位置する上記n型窒化ガリウム系半導体層をエッチングまたはダイシングすることにより上記基板表面が露出するように形成する。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上にn型及びp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層されたウエハーをチップ状に分離する方法であって、前記サファイア基板を50〜300μmの厚さまで研磨する工程と、前記窒化ガリウム系化合物半導体層をエッチングすることで前記サファイア基板の表面を露出させる工程と、前記露出させたサファイア基板の表面に前記サファイア基板の厚さの5%以上の深さでスクライブラインを形成する工程と、前記スクライブラインにおいて各チップに分離する工程とを含む窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041AA41
, 5F041CA03
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F073CA02
, 5F073CB05
, 5F073DA21
, 5F073DA34
, 5F073EA28
