電界放射型電子源およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271523
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093405
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】表面電極の平坦性が良好な電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板よりなる絶縁性基板11の一表面上に半導体層たるノンドープの多結晶シリコン層23が形成され、多結晶シリコン層23の一部にn形多結晶シリコンよりなる導電性層8が形成され、該導電性層8上に酸化した多孔質多結晶シリコンよりなる強電界ドリフト層6が形成され、強電界ドリフト層6上に表面電極7が形成されている。導電性層8は、絶縁性基板11上に形成された半導体層たるノンドープの多結晶シリコン層23にn形不純物をドーピングすることにより該ノンドープの多結晶シリコン層23の一部に形成されている。導電性層8上には、強電界ドリフト層6と離間した部位にパッド電極18が配設されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、絶縁性基板の一表面上に形成された導電性層と、導電性層上に形成された酸化若しくは窒化した多孔質半導体層よりなる強電界ドリフト層と、強電界ドリフト層上に形成された表面電極とを備え、表面電極を導電性層に対して正極として電圧を印加することにより導電性層から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、上記導電性層は、絶縁性基板上に形成された半導体層に不純物をドーピングすることにより該半導体層の一部に形成されてなることを特徴とする電界放射型電子源。

IPC (3件)：

H01J 1/312 , H01J 9/02 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01J 9/02 M , H01L 33/00 Z , H01J 1/30 M

引用特許：

審査官引用 (6件)

冷電子放出表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-069602 出願人：パイオニア株式会社, 越田信義
電子パルス放出装置および表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-246004 出願人：松下電子工業株式会社
特開平2-257542

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