特許
J-GLOBAL ID：200903065951691755

窒化物半導体素子

発明者：
谷沢 公二

谷沢 公二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-159482
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349337
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 多重量子井戸構造の活性層を用い、種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力の高い窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 井戸層と障壁層との多重量子井戸からなる活性層のn層側にn型不純物としてSiをドープし、さらにそのドープする層を限定することで、n層側からのドナーの供給を補うことができ、発光出力の高い窒化物半導体素子が得られる。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体とp型窒化物半導体との間に、量子井戸からなりn型不純物を含む活性層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層に含まれるn型不純物濃度はn層側の方がp層側よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
Fターム (20件)：
5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041FF01 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (3件)

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