特許

J-GLOBAL ID：200903065979252242

ウエハの化学機械研磨方法およびその装置

発明者： ジョセ・エル・クルーズ ,  キューク・ケイ・ヒューン ,  デヴィッド・エル・ウォーカー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-124505
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340531
出願日： 2000年04月25日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜または導線を激しくスクラッチングすることなく金属膜の不要な部分を除去する方法および装置を提供する。【解決手段】 本発明は、ウエハの絶縁膜および導線のスクラッチングを軽減するCMP処理の方法および装置である。特に、本発明の方法および装置は、研磨手順途中の種々の区間で、研磨パッド17およびウエハ12に洗浄溶液を与える。

請求項（抜粋）：

付着された導電膜の不要な部分を除去するためのウエハの化学機械研磨方法において、回転研磨パッドにスラリーを散布する工程と、前記導電膜の不要な部分が除去されるまで、前記スラリーおよび前記回転研磨パッドに前記ウエハを押圧する工程と、除去された導電膜の研磨屑のついた前記研磨パッドとウエハとを洗浄するために、前記ウエハを前記回転研磨パッドに押圧しながら、洗浄溶液を散布する工程とを含むことを特徴とするウエハの化学機械研磨方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B08B 1/04 ,  B08B 3/08 ,  B24B 37/00

FI (6件)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/304 622 M ,  B08B 1/04 ,  B08B 3/08 Z ,  B24B 37/00 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-324718   出願人：キヤノン株式会社
• 精密研磨装置およびこれを用いた半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-132891   出願人：キヤノン株式会社
• ウエハの表面洗浄方法およびウエハの総合研磨洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-153069   出願人：株式会社スーパーシリコン研究所
• ウエハ研磨装置への研磨剤の供給方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-008957   出願人：株式会社東京精密