特許
J-GLOBAL ID：200903088296152935
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324718
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214803
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 導電性材料膜の研磨後にスクラッチを発生させず、高清浄度で安定して洗浄することが困難。【解決手段】 基体上に導電性材料を成膜する工程と、該導電性材料膜を研磨する工程と、前記導電性材料膜の研磨された面を洗浄する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程として、物理的洗浄に先立って、超音波を印加した洗浄液による超音波洗浄を行う。
請求項（抜粋）：
基体上に導電性材料を成膜する工程と、該導電性材料膜を研磨する工程と、前記導電性材料膜の研磨された面を洗浄する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程として、物理的洗浄に先立って、超音波を印加した洗浄液による超音波洗浄を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, B08B 3/12
H01L 21/304 321 A
, H01L 21/304 341 N
, H01L 21/304 341 B
, B08B 3/12 A
