特許

J-GLOBAL ID：200903066012293140

発光素子、その製造方法およびLEDランプ

発明者： 安田 剛規
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-369092
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200523
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】半導体発光素子において、光の取り出し効率を高めること。【解決手段】本発明は、半導体発光素子において、基板の表面又は半導体同士の積層界面に側面が傾斜した凹凸を形成したものである。傾斜の角度は30°〜60°が好ましい。上記凹凸を形成する方法は、研削法、高温還元法、選択的エッチング法などにより凹溝あるいはピットが形成される他、選択的に半導体を成長させることにより三角形状等の突起が形成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板、半導体層、発光層を有する発光素子において、基板とこれに積層されている半導体層の屈折率が異なり、該基板の半導体層を積層する面に傾斜側面を有する凹凸を形成させ、該傾斜側面の基板面に対する角度θを30°<θ<60°としたことを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/205

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (27件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DA52 ,  5F045EE03 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-081447   出願人：三菱電線工業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-191779   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-213490   出願人：日亜化学工業株式会社