特許
J-GLOBAL ID:200903066023544179
有機EL素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
阿部 英樹 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-284730
公開番号(公開出願番号):特開2003-092188
出願日: 2001年09月19日
公開日(公表日): 2003年03月28日
要約:
【要約】【課題】良好な膜質を有し、有機EL素子用として好適な薄膜絶縁層を形成する技術を提供する。【解決手段】本発明は、ガラス基板11上のITO電極12及び陰極18間にパターン状の絶縁層13を有する有機EL素子であって、絶縁層13が、蒸着重合によるポリイミド膜からなる。絶縁層13の表面には、無機絶縁膜14としてSiO2膜が形成されている。
請求項(抜粋):
基板上の陽極及び陰極間にパターン状の絶縁層を有する有機EL素子であって、前記絶縁層が、蒸着重合による高分子膜を有することを特徴とする有機EL素子。
IPC (3件):
H05B 33/22
, H05B 33/10
, H05B 33/14
FI (3件):
H05B 33/22 Z
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
Fターム (11件):
3K007AB05
, 3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EA00
, 3K007EB00
, 3K007FA01
引用特許: