特許
J-GLOBAL ID：200903080601401257

低比誘電性絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜

発明者：
飯島 正行

飯島 正行 について

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佐藤 昌敏

佐藤 昌敏 について

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浮島 禎之

浮島 禎之 について

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高橋 善和

高橋 善和 について


出願人/特許権者：
日本真空技術株式会社

日本真空技術株式会社 について


代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-167628
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003910
出願日： 1998年06月16日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】銅に対して拡散しにくい特性を有し、特に半導体装置の層間絶縁膜に好適な低比誘電性絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】真空中で原料モノマーとしてジアミンモノマーと酸成分モノマーを蒸発させ、これらを基体上で蒸着重合させてポリイミド膜を形成する際に、原料モノマーとして、イミド環以外に酸素原子を含まないモノマーを用いる。ジアミンモノマーとしては、3,3′-ジメチル-4,4′-ジアミノビフェニル(OTD)、2,2′-ビス(トリフルオロメチル)-4,4′-ジアミノビフェニル(TFDB)を用いる。酸成分モノマーとしては、ピロメリト酸二無水物(PMDA)、2,2′-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物(6FDA)を用いる。本発明によれば、第1及び第2の銅配線23、26と層間絶縁膜24との間にTiN等のバリア層を形成する必要がなくなる。
請求項（抜粋）：
真空中で原料モノマーとしてジアミンモノマーと酸成分モノマーを蒸発させ、これらを基体上で蒸着重合させてポリイミド膜を形成する際に、上記原料モノマーとして、イミド環以外に酸素原子を含まないモノマーを用いることを特徴とする低比誘電性絶縁膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/312 ,  C08G 73/10 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
H01L 21/312 B ,  C08G 73/10 ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/95
Fターム (68件)：
4J043PA02 ,  4J043PC015 ,  4J043PC135 ,  4J043QB15 ,  4J043QB26 ,  4J043QB31 ,  4J043RA35 ,  4J043SA06 ,  4J043SA43 ,  4J043SA72 ,  4J043SB01 ,  4J043TA22 ,  4J043TB01 ,  4J043UA122 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043UA141 ,  4J043UA151 ,  4J043UA262 ,  4J043UA662 ,  4J043UA672 ,  4J043UB011 ,  4J043UB021 ,  4J043UB061 ,  4J043UB062 ,  4J043UB131 ,  4J043UB401 ,  4J043UB402 ,  4J043VA021 ,  4J043VA022 ,  4J043VA031 ,  4J043VA041 ,  4J043VA062 ,  4J043XA07 ,  4J043XA40 ,  4J043XB39 ,  4J043XB40 ,  4J043YA06 ,  4J043ZA43 ,  4J043ZA46 ,  4J043ZB11 ,  4M108BA10 ,  4M108BB06 ,  4M108BC03 ,  4M108BC13 ,  4M108BC21 ,  4M108BC22 ,  4M108BD08 ,  4M108BE03 ,  5F033AA04 ,  5F033BA15 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033EA01 ,  5F033EA25 ,  5F033EA29 ,  5F033EA32 ,  5F033FA03 ,  5F058AA03 ,  5F058AA10 ,  5F058AD04 ,  5F058AD10 ,  5F058AF01 ,  5F058AH02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF52 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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