特許

J-GLOBAL ID：200903066024398982

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  寺本 聡 ,  小山 潤 ,  宮永 昭治
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-347821
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167776
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【目的】 珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して結晶性珪素膜を得る技術において、金属元素の影響を低減させる。【構成】 非晶質珪素膜103に対してニッケル元素を導入した後、結晶化のための第1の加熱処理を行う。そして結晶性珪素膜が得られた後に先の加熱処理よりも高い温度で再度の加熱処理を行う。この第2の加熱処理において、金属元素を拡散させることができ、局所的に金属元素が集中した領域が形成されてしまうことを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を意図的に導入し第1の加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化させる工程と、第2の加熱処理を行う工程と、前記珪素膜上に酸化窒化珪素膜を形成する工程と、を有し、前記第2の加熱処理は前記第1の加熱処理と同じまたはそれ以上の温度で行われることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/324 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-339397   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-331626   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-347643   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所