酸化ガリウム-窒化ガリウム複合基板の製造方法、及び酸化ガリウム-窒化ガリウム複合基板

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：佐々木一也 , 成瀬勝夫 , 中村智廣 , 鳥野正司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-043290
公開番号（公開出願番号）：特開2008-207968
出願日： 2007年02月23日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】酸化ガリウム単結晶基板上にPLD法によって結晶性に優れた窒化ガリウム膜を成長させる酸化ガリウム-窒化ガリウム複合基板の製造方法及び酸化ガリウム-窒化ガリウム複合基板、並びにこの複合基板にIII族の窒化物半導体を成長させた半導体素子を提供する。【解決手段】面方位が実質的に<100>方向である酸化ガリウム単結晶の(100)面を研磨して薄型化するラッピング加工と、平滑に研磨するポリッシング加工とを行い、更に化学機械研磨することで、原子レベルで平坦化された結晶表面を備えた酸化ガリウム単結晶基板を得た後、窒素源及びGaターゲットを用いたパルスレーザ蒸着法により、上記結晶表面に窒化ガリウム膜を成長させて得る。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

面方位が実質的に<100>方向である酸化ガリウム単結晶の(100)面を研磨して薄型化するラッピング加工と、平滑に研磨するポリッシング加工とを行い、更に化学機械研磨することで、原子レベルで平坦化された結晶表面を備えた酸化ガリウム単結晶基板を得た後、窒素源及びGaターゲットを用いたパルスレーザ蒸着法により、上記結晶表面に窒化ガリウム膜を成長させることを特徴とする酸化ガリウム-窒化ガリウム複合基板の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , C23C 14/28 , C23C 14/06 , C30B 23/08

FI (4件)：

C30B29/38 D , C23C14/28 , C23C14/06 A , C30B23/08 Z

Fターム (20件)：

4G077AA03 , 4G077AB10 , 4G077BE15 , 4G077DA03 , 4G077EA02 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE02 , 4G077EE04 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077SB03 , 4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029BB09 , 4K029BC07 , 4K029DB03 , 4K029DB20

引用特許：

出願人引用 (4件)

酸化ガリウム単結晶複合体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-054787 出願人：日本軽金属株式会社
酸化物基板上への集積回路装置の製造方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-247083 出願人：科学技術振興事業団
窒化物半導体素子並びにその作製方法
公報種別：再公表公報出願番号：IB2004000916 出願人：財団法人神奈川科学技術アカデミー

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