特許
J-GLOBAL ID：200903084639932774

酸化ガリウム単結晶複合体及びその製造方法

発明者：
大平 重男

大平 重男 について


出願人/特許権者：
日本軽金属株式会社

日本軽金属株式会社 について


代理人 (3件)： 成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  小泉 雅裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-054787
公開番号（公開出願番号）：特開2005-239517
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 バルクの窒化ガリウム単結晶を得るために必要な条件と比較して有利であり、かつ、簡便な手段により得られる配向性に優れた窒化ガリウム結晶層を有する酸化ガリウム単結晶複合体であって、例えばIII-V族窒化物半導体を結晶成長させる際に用いる窒化物半導体用基板として好適な酸化ガリウム単結晶複合体を提供する。【解決手段】 酸化ガリウム(Ga2O3)単結晶の表面に窒化ガリウム(GaN)結晶からなる窒化ガリウム結晶層を有する酸化ガリウム単結晶複合体であり、また、酸化ガリウム(Ga2O3)単結晶をアンモニア(NH3)ガス雰囲気中で加熱処理することにより、上記酸化ガリウム単結晶の表面に窒化ガリウム(GaN)結晶からなる窒化ガリウム結晶層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
酸化ガリウム(Ga2O3)単結晶の表面に窒化ガリウム(GaN)結晶からなる窒化ガリウム結晶層を有することを特徴とする酸化ガリウム単結晶複合体。
IPC (3件)：
C30B29/16 ,  C30B13/00 ,  C30B33/02
FI (3件)：
C30B29/16 ,  C30B13/00 ,  C30B33/02
Fターム (8件)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BB10 ,  4G077CE03 ,  4G077FE02 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA12 ,  4G077NA05
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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