特許
J-GLOBAL ID:200903066052716558

磁気インピーダンス効果素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-320840
公開番号(公開出願番号):特開2001-141798
出願日: 1999年11月11日
公開日(公表日): 2001年05月25日
要約:
【要約】【課題】 磁性薄膜に損傷を与えることなく、非磁性基板にバイアスコイルを装着できる磁気インピーダンス効果素子を提供する。【解決手段】 非磁性基板2の一面に形成した磁性薄膜3の両端部に電極4,5を設け、非磁性基板2を嵌合された巻枠6にバイアスコイル11を巻回し、バイアスコイル11の巻回部11a内に磁性膜膜3を位置させ、巻枠6の両端部から突出した電極4,5に絶縁基板12の一面に形成した配線パターン15,16をそれぞれ接続させるとともに、巻枠6に設けられたコイル端子9,10にバイアスコイル11を接続した。
請求項(抜粋):
非磁性基板の一面に形成した磁性薄膜の両端部に電極が設けられ、前記非磁性基板がバイアスコイルを巻回した巻枠に嵌合されて取り付けられており、前記バイアスコイルの巻回部内に前記磁性膜が位置し、前記巻枠の両端部から突出した前記電極に絶縁基板の一面に形成した配線パターンがそれぞれ接続されているとともに、前記巻枠に設けられたコイル端子に前記バイアスコイルが接続されていることを特徴とする磁気インピーダンス効果素子。
IPC (2件):
G01R 33/02 ,  G11B 5/33
FI (2件):
G01R 33/02 D ,  G11B 5/33
Fターム (5件):
2G017AD04 ,  2G017AD05 ,  2G017AD51 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 磁気センサ素子及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-057422   出願人:ティーディーケイ株式会社
  • 磁気センサ素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-057421   出願人:ティーディーケイ株式会社
  • 磁気検出素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-086553   出願人:キヤノン電子株式会社

前のページに戻る