特許

J-GLOBAL ID：200903066061487987

リサイクル装置及びリサイクル方法

発明者： ドミニク・ブロー ,  ベルナード・デノー ,  長村 孝 ,  今永 哲哉
出願人/特許権者： 日本エア・リキード株式会社 ,  エア・リキード・コリア・サービス・カンパニー・リミテッド
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205234
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036480
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造工程において洗浄に使用したアンモニアを再度洗浄に利用可能とするリサイクル装置及びリサイクル方法を提供すること。【解決手段】本発明のリサイクル装置は、アンモニアを含有する洗浄液を用いて半導体基板を洗浄する洗浄装置1と接続され、前記洗浄装置1から排出される廃液中のアンモニアを回収し、前記回収されたアンモニアを前記洗浄に再利用するために前記廃液を精製するリサイクル装置であって、前記廃液から固形分を除去する固形分除去手段2、及び前記固形分を除去された廃液を精留して、塔頂に濃縮アンモニア水を生成する精留塔3を具備する。

請求項（抜粋）：

アンモニアを含有する洗浄液を用いて半導体基板を洗浄する洗浄装置と接続され、前記洗浄装置から排出される廃液中のアンモニアを回収し、前記回収されたアンモニアを前記洗浄に再利用するために前記廃液を精製するリサイクル装置であって、前記廃液から固形分を除去する固形分除去手段、前記固形分を除去された廃液を精留して、塔頂に濃縮アンモニア水を生成する精留塔、前記半導体基板を洗浄することにより排出された廃液を前記固形分除去手段に供給する第1の配管、前記固形分を除去された廃液を前記固形分除去手段から前記精留塔内に供給する第2の配管、及び前記濃縮アンモニア水を前記精留塔から前記洗浄装置内に供給するために抽出する第3の配管を具備することを特徴とするリサイクル装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 647 ,  B08B 3/14 ,  C02F 1/04

FI (5件)：

H01L 21/304 648 F ,  H01L 21/304 648 K ,  H01L 21/304 647 Z ,  B08B 3/14 ,  C02F 1/04 Z

Fターム (8件)：

3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201BB01 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201CD22 ,  4D034AA27 ,  4D034CA12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体材料の洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-299097   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-183602
  
• 半導体プロセス用オンサイトアンモニア精製
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-536849   出願人：スターテック・ベンチャーズ・インコーポレーテッド