単極性整流素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-210866
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049362
出願日： 1998年07月27日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】高い耐圧をもち得て、漏れ電流が少なく、かつ特性劣化の少ない単極性整流素子を実現する。【解決手段】カソード領域である一導電型半導体基体2の一主面に複数の溝を設け、各溝の内面に絶縁膜5とその内部を埋める導体6を有し、絶縁膜5に隣接する主面に同一導電型のアノード領域3を有し、半導体基体2に接してショットキー接合4をなし、かつアノード領域3と導体6とに接続する金属製のアノード電極を有し、導体6は絶縁膜5を介して隣接する半導体基体中に空乏領域を形成する仕事関数の材料からなり、溝の、各側壁同士の間隔Hは、対抗する側壁のない溝から発した空乏領域の幅の1.6倍以下であり、溝の側壁に沿ってアノード領域3の界面から溝の底部までの距離Lは側壁同士の間隔Hの2乃至3倍以上に設定した単極性整流素子。

請求項（抜粋）：

カソード領域である一導電型半導体基体の一主面にあって溝を複数有し、前記溝の断面はU字型をなし、前記各溝の内面に絶縁膜を有し、前記絶縁膜に接して前記溝の内部を埋め立てるように導体を有し、前記絶縁膜に隣接する前記主面に同一導電型のアノード領域を有し、前記半導体基体に接してショットキー接合をなし、かつ、前記アノード領域と前記導体とに接続する金属製のアノード電極を有し、前記導体は前記絶縁膜を介して隣接する前記半導体基体中に空乏領域を形成するような仕事関数の材料からなり、前記溝の、各側壁同士の間隔は、対抗する側壁のない前記溝から発した前記空乏領域の幅の1.6倍以下であり、前記溝の側壁に沿って前記同一導電型アノード領域の界面から前記溝の底部までの距離は前記側壁同士の間隔の2乃至3倍以上である、ことを特徴とする単極性整流素子。

IPC (2件)：

H01L 29/872 , H01L 29/861

FI (2件)：

H01L 29/48 M , H01L 29/91 D

Fターム (8件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB39 , 4M104CC03 , 4M104FF06 , 4M104FF11 , 4M104FF34 , 4M104GG03

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭63-155768
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-086058 出願人：新電元工業株式会社
整流用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-295148 出願人：新電元工業株式会社

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