薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-007887
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270723
出願日： 2008年01月17日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】薄膜トランジスタ、特にフレキシブル薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層と基板の密着性が強く、基板からゲート絶縁層が剥離しない信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】絶縁基板上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物を含む半導体層が順次積層され、前記半導体層上にソース電極とドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁層が前記絶縁基板に接する下部層と前記下部層上に設けられた少なくとも一層以上の上部層からなり、且つ前記下部層はIn、Zn、Gaのいずれか1種の元素を含む酸化物であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物を含む半導体層が順次積層され、前記半導体層上にソース電極とドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁層が前記絶縁基板に接する下部層と前記下部層上に設けられた少なくとも一層以上の上部層からなり、且つ前記下部層はIn、Zn、Gaのいずれか1種の元素を含む酸化物であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L29/78 617U , H01L29/78 617T , H01L21/312 N , H01L21/316 M

Fターム (64件)：

5F058AA08 , 5F058AD02 , 5F058AD03 , 5F058AD04 , 5F058AD09 , 5F058AD10 , 5F058AH01 , 5F058BA10 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF14 , 5F058BJ01 , 5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD18 , 5F110EE01 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK38

引用特許：

出願人引用 (6件)

非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325370 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-097093 出願人：凸版印刷株式会社
金属アルコキシド溶液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-222245 出願人：富士フイルムホールディングス株式会社

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審査官引用 (1件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-097093 出願人：凸版印刷株式会社

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