薄膜トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-097093
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190923
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】光による特性変化が少ない、耐光性に優れた、有機半導体を用いた薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、半導体層と、該半導体層上部に形成されたゲート絶縁膜と、該絶縁膜上部に形成されたゲート電極とを有し、ゲート絶縁膜が半導体層より屈折率の高い材料からなる、光反射特性を有する反射絶縁層である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層と、該半導体層上部に形成されたゲート絶縁膜と、該絶縁膜上部に形成されたゲート電極とを有し、前記ゲート絶縁膜が前記半導体層より屈折率の高い材料からなる、光反射特性を有する反射絶縁層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , G06K 19/07 , G06K 19/077

FI (5件)：

H01L29/78 617S , H01L29/78 617U , H01L29/78 618B , G06K19/00 H , G06K19/00 K

Fターム (32件)：

5B035AA07 , 5B035BB09 , 5B035CA02 , 5B035CA23 , 5F110AA30 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF05 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK42

引用特許：

審査官引用 (6件)

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-132952 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
特開平2-062078
薄膜トランジスタ素子、当該素子シート及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-046026 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

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