特許

J-GLOBAL ID：200903066101964740

絶縁性被膜

発明者： 松谷 寛 ,  内丸 祐子
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-317569
公開番号（公開出願番号）：特開2004-136661
出願日： 2003年09月09日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】 十分な低誘電率化が可能であり且つ加水分解を生じず安定性に優れる絶縁被膜等を提供する。【解決手段】 絶縁被膜120は、シリコン基層を有するシリコンウェハ100上に、SiOF、有機SOG等の非ボラジン化合物を含むB層112と、ボラジン化合物を含むA層111とがこの順に交互に積層された2層構造を成すものである。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

分子構造中にボラジン骨格を有する化合物を含有して成る少なくとも1つの第1の絶縁層と、該第1の絶縁層と異なる少なくとも1つの第2の絶縁層とが交互に積層されて成る絶縁被膜。

IPC (5件)：

B32B9/00 ,  C08G77/56 ,  C08G77/60 ,  C08G79/08 ,  H01L21/312

FI (5件)：

B32B9/00 Z ,  C08G77/56 ,  C08G77/60 ,  C08G79/08 ,  H01L21/312 A

Fターム (60件)：

4F100AK79A ,  4F100AK79B ,  4F100AK79K ,  4F100AK80A ,  4F100AK80B ,  4F100AK80K ,  4F100BA02 ,  4F100BA08 ,  4F100GB41 ,  4F100JD15 ,  4F100JG04 ,  4F100JG04A ,  4F100JG04B ,  4F100JJ03 ,  4F100JK01 ,  4F100JK06 ,  4F100JL01 ,  4J030CA01 ,  4J030CC07 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CE11 ,  4J030CG04 ,  4J246AA15 ,  4J246AA18 ,  4J246AB01 ,  4J246BA02X ,  4J246BB02X ,  4J246BB021 ,  4J246BB20X ,  4J246BB201 ,  4J246BB34X ,  4J246BB341 ,  4J246BB40X ,  4J246BB400 ,  4J246BB401 ,  4J246CA01X ,  4J246CA010 ,  4J246CA018 ,  4J246CA230 ,  4J246CA24X ,  4J246CA248 ,  4J246CA390 ,  4J246CA40X ,  4J246CA408 ,  4J246FA221 ,  4J246FA452 ,  4J246FC162 ,  4J246GA02 ,  4J246GC52 ,  4J246GD08 ,  4J246HA63 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AD05 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 耐熱低誘電率材料並びにこれを用いた半導体層間絶縁膜及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-153600   出願人：三菱電機株式会社
• ボラジン含有ケイ素系ポリマーの薄膜の製造方法及びボラジン含有ケイ素ポリマー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-068771   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所