エピタキシャル成長用基板

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：石井久夫 , 竹内三喜夫 , 田村啓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-538438
公開番号（公開出願番号）：特表2005-506271
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

本発明は、エピタキシ用基板に関し、特に窒化物半導体の製法に関する。窒化ガリウムの六方格子のc軸に垂直な面の断面積が100mm2以上、結晶の厚さが1.0μm以上、C面の表面転位密度は106/cm2以下であり、またさらに加工可能な表面積が好ましくは100mm2以上である非極性のA面あるいはM面プレートを少なくとも1つ作るのに十分な大きさがあることを特徴とする窒化物バルク単結晶に発明は及ぶ。本発明はガリウム含有窒化物の単結晶であって、そのガリウム含有窒化物の六方格子c軸に垂直な断面積が100mm2以上、結晶の厚さが1.0μm以上、その表面転位密度は106/cm2以下であることを特徴とする窒化物のバルク単結晶に及ぶ。本発明の単結晶は窒化物半導体層のエピタキシャル成長に適している。結晶性がよいので、特に半導体レーザーダイオードやレーザー素子の製造用としてオプトエレクトロニクス分野での使用に適する。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウムの単結晶であって、窒化ガリウム六方格子のc軸垂直面における断面積が100mm2以上、厚さが1.0μm以上、C面の表面転位密度が106/cm2以下であり、かつ少なくとも100mm2の表面積を有する更に加工可能な非極性A面またはM面プレートを少なくとも1つ作るのに十分な体積を有することを特徴とする窒化物のバルク単結晶。

IPC (2件)：

C30B29/38 , C30B7/10

FI (2件)：

C30B29/38 D , C30B7/10

Fターム (18件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB06 , 4G077BE15 , 4G077CB04 , 4G077EA02 , 4G077EA03 , 4G077EB01 , 4G077EC02 , 4G077EC07 , 4G077ED01 , 4G077ED06 , 4G077HA12 , 4G077KA01 , 4G077KA03 , 4G077KA05 , 4G077KA07 , 4G077KA09

引用特許：

審査官引用 (2件)

GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体成長用基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-024451 出願人：ソニー株式会社
ガリウム含有窒化物のバルク単結晶の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-033462 出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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