特許
J-GLOBAL ID：200903066122729563

窒化シリコン膜の形成方法

発明者：
長谷川 利昭

長谷川 利昭 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055241
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240410
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】従来の窒化シリコン膜の形成方法のようにRTN処理といった熱処理を施す必要がなく、半導体装置の製造工程の増加を招かず、しかも高い容量を有する非常に薄い高品質の窒化シリコン膜を基体上に形成することを可能にする窒化シリコン膜の形成方法を提供する。【構成】酸化膜除去装置で基体表面の自然酸化膜を除去した後、ロードロック室及び成膜室を備えた窒化シリコン成膜装置のロードロック室に基体を搬送し、減圧状態にてロードロック室内を不活性ガスで置換した後、ロードロック室から成膜室に基体を搬送して、基体表面に窒化シリコン膜を成膜する。
請求項（抜粋）：
基体上に窒化シリコンを形成する方法であって、酸化膜除去装置で基体表面の自然酸化膜を除去した後、ロードロック室及び成膜室を備えた窒化シリコン成膜装置のロードロック室に基体を搬送し、減圧状態にてロードロック室内を不活性ガスで置換した後、ロードロック室から成膜室に基体を搬送して、基体表面に窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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