成膜方法および成膜装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-063750
公開番号（公開出願番号）：特開2003-268540
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】【課題】安定した金属酸化膜、特に酸化チタン膜の形成が可能な成膜方法を提供する。【解決手段】不活性ガスと酸素ガスとのプラズマを用いて金属ターゲットをスパッタする成膜方法において、不活性ガスと酸素ガスとをチャンバ中に導入してプラズマ放電させる工程と、酸素ガスの流量を変化させながら、プラズマ放電中の酸素の発光強度を計測する計測工程と、酸素ガスの流量変化に対して、発光強度が略一定となる安定領域と、発光強度が変化する遷移領域とを認定し、更にその境界点を変化点として認定する認定工程と、酸素ガスの流量を、発光強度が安定領域に含まれる流量に設定して、金属酸化膜を形成する膜形成工程とを含む。

請求項（抜粋）：

不活性ガスと酸素ガスとのプラズマを用いて金属ターゲットをスパッタする成膜方法であって、不活性ガスと酸素ガスとをチャンバ中に導入してプラズマ放電させる工程と、該酸素ガスの流量を変化させながら、該プラズマ放電中の酸素の発光強度を計測する計測工程と、該酸素ガスの流量変化に対して、該発光強度が略一定となる安定領域と、該発光強度が変化する遷移領域とを認定し、更にその境界点を変化点として認定する認定工程と、該酸素ガスの流量を、該発光強度が該安定領域に含まれる流量に設定して、金属酸化膜を形成する膜形成工程とを含むことを特徴とする成膜方法。

Fターム (7件)：

4K029BA43 , 4K029BA48 , 4K029BC07 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029EA04 , 4K029EA06

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-085356
特開昭62-180070
成膜モニタリング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-004354 出願人：日本電信電話株式会社

全件表示

前のページに戻る