特許
J-GLOBAL ID：200903066130579490

超親水性薄膜及びその形成方法

発明者：
樋口 貞雄

樋口 貞雄 について

, 
宮島 清富

宮島 清富 について

, 
古谷 正裕

古谷 正裕 について

, 
田辺 一夫

田辺 一夫 について


出願人/特許権者：
財団法人電力中央研究所

財団法人電力中央研究所 について


代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-250592
公開番号（公開出願番号）：特開2006-063426
出願日： 2004年08月30日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】紫外線の照射なしでも超親水性を長期間に渡って保持し得且つ紫外線によって容易に超親水性を回復し得る特性を有する薄膜及びその形成方法を提供すること。 【解決手段】遷移金属酸化物及び希土類元素酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種の酸化物の粒径が1〜100μmの粒子をプラズマ溶射することにより基体上に0.05〜1mmの厚さの超親水性薄膜を形成するか、又は粒径が1〜100μmで酸化処理により遷移金属酸化物及び希土類元素酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種の酸化物となる粒子をプラズマ溶射することにより基体上に0.05〜1mmの厚さの薄膜を形成し、その薄膜をガスバーナーの炎で酸化処理して超親水性薄膜を形成する。並びに、その形成方法で得られる超親水性薄膜。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
遷移金属酸化物及び希土類元素酸化物からなる群より選ばれる少なくとも1種の酸化物の粒径が1〜100μmの粒子をプラズマ溶射することにより基体上に0.05〜1mmの厚さの超親水性薄膜を形成することを特徴とする超親水性薄膜の形成方法。
IPC (7件)：
C23C 4/10 ,  B32B 9/00 ,  C23C 4/06 ,  C23C 4/12 ,  C23C 4/18 ,  C23C 8/16 ,  C23C 28/00
FI (7件)：
C23C4/10 ,  B32B9/00 A ,  C23C4/06 ,  C23C4/12 ,  C23C4/18 ,  C23C8/16 ,  C23C28/00 B
Fターム (62件)：
4F100AA17A ,  4F100AA20A ,  4F100AA21 ,  4F100AA21A ,  4F100AB10 ,  4F100AB12A ,  4F100AB15C ,  4F100AB16C ,  4F100AB24C ,  4F100AB25C ,  4F100AB33C ,  4F100AL05A ,  4F100AR00A ,  4F100AT00B ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100DE01 ,  4F100DE01A ,  4F100DG01B ,  4F100EH56 ,  4F100EH562 ,  4F100EJ12 ,  4F100EJ121 ,  4F100EJ60 ,  4F100EJ602 ,  4F100EJ61 ,  4F100EJ612 ,  4F100JB05 ,  4F100JB05A ,  4F100YY00A ,  4K031AA01 ,  4K031AA08 ,  4K031AB02 ,  4K031AB03 ,  4K031AB09 ,  4K031AB11 ,  4K031CB09 ,  4K031CB10 ,  4K031CB14 ,  4K031CB21 ,  4K031CB34 ,  4K031CB36 ,  4K031CB42 ,  4K031CB48 ,  4K031CB49 ,  4K031DA04 ,  4K031FA01 ,  4K044AA06 ,  4K044AB02 ,  4K044AB04 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA12 ,  4K044BA14 ,  4K044BB01 ,  4K044BB03 ,  4K044BB14 ,  4K044BB17 ,  4K044BC02 ,  4K044CA11 ,  4K044CA62
引用特許：
審査官引用 (13件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM