特許
J-GLOBAL ID：200903043309775275
プラズマスパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
松井 光夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-206086
公開番号（公開出願番号）：特開2003-301268
出願日： 2002年07月15日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 大面積の結晶化膜、高緻密膜の薄膜を基板上に堆積するプラズマ支援スパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置を提供する。【解決手段】 マグネトロンを用いたプラズマスパッタリング装置内に、薄膜を堆積する基板の進行方向及び/又はその反対方向に向って一つ又はそれ以上のマイクロ波アンテナを配置して、基板表面上にマイクロ波を放射して基板表面近傍に支援プラズマを形成する。複数の磁石から成るマグネット配列、好ましくはいわゆるレーストラック状磁石を基板の下側に配置して、基板表面近傍の支援プラズマが形成される領域にプラズマ閉じ込め用のアーチ状ミラー磁場を形成させ、基板表面のアーチ状磁場の有効強度を高くし、且つ、大面積の面に亘ってその支援プラズマの基板幅方向の均一性を達成する。
請求項（抜粋）：
マグネトロンカソードを内部に有する真空チャンバー内でプラズマスパッタリングにより基板上に薄膜を形成する方法において、(a1)複数の磁石から成るマグネット配列を、上記基板の、上記マグネトロンカソードとは反対側に配置して、上記基板の、上記マグネトロンカソード側の表面近傍に磁力線がアーチ状になるようにミラー磁場を形成してシート状のプラズマ保持領域を作る工程、及び(a2)上記基板の進行方向及び/又はその反対方向に向って、上記基板の、上記マグネトロンカソード側の表面近傍にマイクロ波を放射して上記領域に電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させ、これを上記領域に保持して補強支援プラズマとする工程を含むスパッタリング薄膜形成方法。
Fターム (10件)：
4K029AA11
, 4K029AA25
, 4K029BA44
, 4K029BA46
, 4K029BA48
, 4K029CA05
, 4K029DC40
, 4K029EA06
, 4K029JA01
, 4K029KA03
