特許
J-GLOBAL ID:200903066131718132

電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人あいち国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-225730
公開番号(公開出願番号):特開2009-059887
出願日: 2007年08月31日
公開日(公表日): 2009年03月19日
要約:
【課題】複数の半導体素子を効率よく冷却することができる電力変換装置を提供すること。【解決手段】 半導体素子2を内蔵する複数の半導体モジュール20と、半導体モジュール20を冷却するための冷却媒体を内部に流通させる複数の冷却管3とを交互に積層してなる電力変換装置1。冷却管3は、積層方向及び冷却媒体の流通方向に直交するZ方向に複数に分割された冷媒流路31を有する。隣合う一対の冷却管3の間には、複数の半導体モジュール20、或いは、複数の半導体素子2を内蔵した1個以上の半導体モジュール20が配設されている。一対の冷却管3の間に配される複数の半導体素子2は、少なくともその中の1個の半導体素子2が他の半導体素子2に対してZ方向にずれるように配置されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体素子を内蔵する複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却するための冷却媒体を内部に流通させる複数の冷却管とを交互に積層してなる電力変換装置であって、 上記冷却管は、上記積層方向及び上記冷却媒体の流通方向に直交する方向に複数に分割された冷媒流路を有し、 隣合う一対の上記冷却管の間には、複数の半導体モジュール、或いは、複数の半導体素子を内蔵した1個以上の半導体モジュールが配設されており、 上記一対の冷却管の間に配される複数の上記半導体素子は、少なくともその中の1個の半導体素子が他の半導体素子に対して上記積層方向及び上記冷媒流路に直交する方向にずれるように配置されていることを特徴とする電力変換装置。
IPC (2件):
H01L 23/473 ,  H02M 7/48
FI (2件):
H01L23/46 Z ,  H02M7/48 Z
Fターム (12件):
5F136CB06 ,  5F136DA25 ,  5F136DA41 ,  5F136FA02 ,  5H007AA06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC12 ,  5H007CC23 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA06
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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