特許
J-GLOBAL ID：200903086297878945

ハーフブリッジ回路用半導体モジュール

発明者：
大濱 健一

大濱 健一 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-374434
公開番号（公開出願番号）：特開2004-208411
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】端子間の沿面放電を良好に抑止できるとともに端子接続性及び配線収まり性に優れたコンパクトなハーフブリッジ回路用半導体モジュールを提供すること。【解決手段】ハーフブリッジ回路を一つの半導体モジュールとし、この半導体モジュールの一面にミドルサイド板3を、他面にハイサイド板1とローサイド板2とを設ける。ハイサイド板1のハイサイド端子11とローサイド板2のローサイド端子12とミドルサイド板3のミドルサイド端子13とを長方形のモジュールの一長辺側から取り出し、他長辺側から小電流端子14、15を取り出す。ミドルサイド端子13は、この一長辺の端部から取り出す。これにより、配線を簡素とすることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ハーフブリッジ回路の上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップが上面に接合された電極板からなるミドルサイド板、 前記上アーム側半導体チップの上面に接合された電極板からなるハイサイド板、 前記下アーム素子側半導体チップの上面に接合された電極板からなるローサイド板、 前記ミドルサイド板の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の交流端子をなすミドルサイド端子、 前記ハイサイド板の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の高位直流端子をなすハイサイド端子、 前記ローサイド端子の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の低位直流端子をなすローサイド端子、 前記上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップの前記側面を封止する樹脂モールド部、及び、 前記上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップから前記樹脂モールド部内へ延設されて前記樹脂モールド部の側面から面方向へ突出する出する小電流端子、 を備えるハーフブリッジ回路用半導体モジュールにおいて、 前記ミドルサイド端子、ハイサイド端子及びローサイド端子は、前記小電流端子が突出しない前記ミドルサイド板の一長辺側から互いに所定間隔隔てて突出し、かつ、前記ミドルサイド端子は前記一長辺の端部側に配置されることを特徴とするハーフブリッジ回路用半導体モジュール。
IPC (5件)：
H02M7/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M1/00 ,  H02M7/5387
FI (4件)：
H02M7/48 Z ,  H02M1/00 Z ,  H02M7/5387 A ,  H01L25/04 C
Fターム (16件)：
5H007AA06 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CB12 ,  5H007CC03 ,  5H007CC23 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA07 ,  5H740BA11 ,  5H740BA15 ,  5H740BB05 ,  5H740MM10 ,  5H740PP01 ,  5H740PP02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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