特許

J-GLOBAL ID：200903066131769306

半導体装置

発明者： 奥村 三郎 ,  岡田 康子 ,  小川 博子
出願人/特許権者： 株式会社三社電機製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212394
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045938
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】 ソフトリカバリーさせる高速ダイオードと、その高速ダイオードを使用した半導体装置を提供する。【構成】 第1の導電形で高濃度の第1の半導体層と、上記第1の半導体層上の形成された第1の導電形で低濃度の第2の半導体層と、上記第2の半導体層の表面からその内部に選択的に形成された第2の導電形で高濃度の第3の半導体層と、上記第3の半導体層の表面と上記第3の半導体層の相互間に形成される上記第2の半導体層のショート部の表面とを熱処理された第1の金属層とを設けた。

請求項（抜粋）：

第1の導電形で高濃度の第1の半導体層と、上記第1の半導体層上の形成された第1の導電形で低濃度の第2の半導体層と、上記第2の半導体層の表面からその内部に選択的に形成された第2の導電形で高濃度の第3の半導体層と、上記第3の半導体層の表面と上記第3の半導体層の相互間に形成される上記第2の半導体層のショート部の表面とを熱処理された第1の金属層とを設けた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/91 C ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/78 653 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体整流素子およびその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-067667   出願人：富士電機株式会社
• 複合ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-248642   出願人：株式会社三社電機製作所
• 特開平4-171769