特許
J-GLOBAL ID：200903066137546066
循環堆積による金属ケイ素窒化物膜の調製
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-036223
公開番号（公開出願番号）：特開2006-225764
出願日： 2006年02月14日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】前駆体の循環堆積によって三成分金属ケイ素窒化物膜を製造するための改善された方法を提供する。【解決手段】金属アミドと、NH及びSiH官能性の両方を有するケイ素源とを前駆体として使用することにあり、それによりこのような金属-SiN膜が形成される。これらの前駆体は、循環堆積によって基材表面に逐次的に適用される。例示的なケイ素源は、以下の式、即ち、(R1NH)nSiR2mH4-n-m(n=1、2;m=0、1、2;n+m≦3);及び(R32N-NH)xSiR4yH4-x-y(x=1、2;y=0、1、2;x+y≦3)によって表されるモノアルキルアミノシラン及びヒドラジノシランであり、式中、R1-4が同じであるか又は異なり、アルキル、ビニル、アリル、フェニル、環状アルキル、フルオロアルキル、シリルアルキルからなる群より独立して選択される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材上に金属ケイ素窒化物膜を形成するための循環堆積法であって、
金属アミドを堆積チャンバーに導入して加熱基材上に膜を堆積させる工程;
堆積チャンバーをパージして未反応の金属アミドと任意の副産物を除去する工程;
N-HフラグメントとSi-Hフラグメントを含有するケイ素化合物を堆積チャンバーに導入して加熱基材上に膜を堆積させる工程;
堆積チャンバーをパージして任意の未反応化合物と副産物を除去する工程;及び
所望の膜厚が確立されるまで循環堆積法を繰り返す工程
を含む、循環堆積法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (30件)：
4K030AA06
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA18
, 4K030BA17
, 4K030BA18
, 4K030BA29
, 4K030BA35
, 4K030BA38
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030HA01
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030LA15
, 4M104BB24
, 4M104BB25
, 4M104BB27
, 4M104BB28
, 4M104BB29
, 4M104BB30
, 4M104BB32
, 4M104BB33
, 4M104BB36
, 4M104BB38
, 4M104DD43
, 4M104DD45
, 4M104HH16
, 4M104HH20
出願人引用 (10件)
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米国特許出願公開第2004/0009336号明細書
-
米国特許出願公開第2004/0197492号明細書
-
米国特許出願公開第2003/0190423号明細書
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審査官引用 (3件)
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