特許

J-GLOBAL ID：200903066139092208

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 早藤 紀生 ,  元田 隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-109567
公開番号（公開出願番号）：特開平8-307013
出願日： 1995年05月08日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 ウエハ状態で、簡便かつ制御性のよい窓構造が得られる半導体レーザ装置及びその製造方法の提供を目的とする。【構成】 本発明の半導体レーザ装置は、格子面(2,1,1)を有するn-GaAs基板26の上に結晶成長した結晶成長層2、10、11、12、6及び7の、レーザ光が出力される格子面(1,1,1)に窓層19を形成し、結晶成長層のうちのコンタクト層7の上面及びn-GaAs基板26の下面に設けた電極8及び9を形成した構成である。

請求項（抜粋）：

格子面{2,1,1}GaAs基板上に結晶成長した結晶成長層と、この結晶成長層の格子面{1,1,1}に形成した窓面と、この窓面に積層した窓層と、上記結晶成長層の上面及び上記GaAs基板の下面に設けた電極とを具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-197278   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザとその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-092338   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭58-192394
  
• 特開平1-239891