半導体ウエハ製造装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-091306
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286226
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】製造時間の短縮、装置のコンパクト化を図りながら最終洗浄後の半導体ウエハに付着した水分等を完全に除去する。【解決手段】半導体ウエハ製造装置は、ウエハ基板の最終洗浄処理を行う洗浄室(1)と、ウエハ基板を一時的に保管する保管室(3)と、洗浄室(1)と保管室(3)とに夫々連通し、上面に外部から熱伝導可能な石英製窓部(7)を有する搬送室(2)と、ウエハ基板(W)を洗浄室(1)から保管室(3)に搬送室内で搬送するロボットハンド(5)及びロボットアーム(4)と、搬送室(2)の外部であって石英製窓部(7)に対応する位置に配置され、搬送室内を搬送中のウエハ基板(W)を所定温度に加熱する赤外線ランプ(6)と、搬送室内を搬送中のウエハ基板(W)に対し、保管室(3)側から洗浄室(1)側へ向かう方向に層流状態の不活性ガスを噴射するガス供給手段(8)と、搬送室内にウエハ基板から除去された水分を排気する排気手段(9)とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶から切り出された半導体ウエハ基板に対し熱処理前の最終洗浄処理を行う洗浄装置と、最終洗浄後の半導体ウエハ基板に対し次工程の処理を施す処理装置と、前記洗浄装置と前記処理装置とに夫々連通する搬送室と、最終洗浄後の半導体ウエハ基板を前記洗浄装置から前記処理装置に前記搬送室内で搬送する搬送手段と、を備えた半導体ウエハ製造装置において、前記搬送室内を搬送中の半導体ウエハ基板を所定温度に加熱する加熱手段と、前記搬送室内を搬送中の半導体ウエハ基板に対し、前記搬送室の前記処理装置側から前記洗浄装置側へ向かう方向に層流状態の不活性ガスを噴射するガス供給手段と、を備えたことを特徴とする半導体ウエハ製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 651 , H01L 21/304 , F26B 21/14

FI (3件)：

H01L 21/304 651 M , H01L 21/304 651 B , F26B 21/14

Fターム (17件)：

3L113AA03 , 3L113AB03 , 3L113AC10 , 3L113AC28 , 3L113AC45 , 3L113AC46 , 3L113AC54 , 3L113AC67 , 3L113AC73 , 3L113AC75 , 3L113AC76 , 3L113AC86 , 3L113BA34 , 3L113DA01 , 3L113DA10 , 3L113DA14 , 3L113DA24

引用特許：

出願人引用 (4件)

基板の乾燥方法およびこれを用いる乾燥装置およびこれを用いる半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-306037 出願人：株式会社日立製作所
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-050777 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-082123

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