特許

J-GLOBAL ID：200903066186882187

酸化物薄膜の成長方法

発明者： ミッコ リタラ ,  アンッティ ラーツ ,  マルック レスケレ ,  カウポ ククリ
出願人/特許権者： エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-315409
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172767
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
要約：

【要約】【課題】 基板上に酸化物薄膜を成長させる方法を提供する。【解決手段】 金属原料と酸素原料の交互表面反応で基板上に酸化物薄膜を堆積させるALD法の原理に従った酸化物薄膜の成長方法において、使用する該酸素原料が少なくとも1つの有機リガンドを有するホウ素、シリコンまたは金属の化合物であって、その酸素が少なくとも1つのホウ素、シリコンまたは金属原子に結合しているものである。

請求項（抜粋）：

金属原料と酸素原料の交互表面反応で基板上に酸化物薄膜を堆積させるALD法の原理に従った酸化物薄膜の成長方法において、使用する該酸素原料が少なくとも1つの有機リガンドを有するホウ素、シリコンまたは金属の化合物であって、その酸素が少なくとも1つのホウ素、シリコンまたは金属原子に結合しているものであることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/316 X

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜形成方法、シリコン薄膜及びシリコン薄膜トランジスタの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-023986   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-349107
  
• ジアルキルアルミニウムアルコキシドを用いた酸化アルミニウム膜の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-521175   出願人：コリア・リサーチ・インスティチュート・オブ・ケミカル・テクノロジー