特許

J-GLOBAL ID：200903066190979764

欠陥の削減方法

発明者： ジョセフ エフ ラコウスキ
出願人/特許権者： シップレーカンパニー エル エル シー
代理人 (1件)： 佐伯 憲生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-562265
公開番号（公開出願番号）：特表2003-524213
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2003年08月12日
要約：

【要約】電子デバイス製作時の欠陥の削減方法を開示する。また、欠陥数が減少した電子デバイスを開示する。その方法は一種類以上の界面活性剤と水とを含む組成物を必要とし、組成物中の界面活性剤の量は臨界ミセル濃度未満である。

請求項（抜粋）：

電子デバイスを一種類以上の界面活性剤と水とを含む組成物に接触させるステップを含み、組成物中の界面活性剤の量が臨界ミセル濃度未満であることを特徴とする電子デバイスの欠陥数を減らすための方法。

IPC (4件)：

G03F 7/32 501 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 647

FI (4件)：

G03F 7/32 501 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 647 B ,  H01L 21/30 570

Fターム (6件)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096GA18 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 微細パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-151983   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭61-097653
  
• リンス剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-094270   出願人：花王株式会社