特許
J-GLOBAL ID：200903066219448763

半導体装置

発明者：
島村 哲夫

島村 哲夫 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について

, 
三洋半導体株式会社

三洋半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-231766
公開番号（公開出願番号）：特開2009-064974
出願日： 2007年09月06日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：
【課題】バイポーラトランジスタ構造を有する静電破壊保護素子のホールド電圧を従来に比して高くするとともに、当該素子のサイズを抑える技術を提供することを目的とする。【解決手段】エピタキシャル層2の表面にベース領域(P不純物層4)が形成され、P不純物層4の表面にエミッタ領域(N+不純物層5)が形成され、エピタキシャル層2とN+不純物層6とから成るコレクタ領域が構成されている。ベース電極8とベース領域(P不純物層4)の接続部が、ベース領域(P不純物層4)のコレクタ電極10側の端部とエミッタ領域(N+不純物層5)との間に位置する。つまり、コレクタ・ベース・エミッタの順で各電極が構成されている。ベース電極8とエミッタ電極9とは不図示の配線を介して接続されている。また、エピタキシャル層2を複数の島領域に分離するためのP+分離層11が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の表面に形成された前記第1の半導体層よりも高濃度の第1導電型の第2の半導体層とを含むコレクタ領域と、 前記第1の半導体層の表面に形成された第2導電型のベース領域と、 前記ベース領域の表面に形成された第1導電型のエミッタ領域と、 前記第2の半導体層と接続されたコレクタ電極と、 前記ベース領域と接続されたベース電極と、 前記エミッタ領域と接続されたエミッタ電極とを含むバイポーラトランジスタを備え、 前記ベース電極は前記エミッタ電極と接続され、且つ前記ベース電極と前記ベース領域との接続部は、前記ベース領域の前記第2の半導体層側の端部と前記エミッタ領域との間に位置することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/822 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/732
FI (8件)：
H01L27/06 101U ,  H01L27/06 311C ,  H01L27/04 A ,  H01L27/04 H ,  H01L27/06 101P ,  H01L27/08 321H ,  H01L27/06 321B ,  H01L29/72 P
Fターム (42件)：
5F003AP06 ,  5F003BA23 ,  5F003BB05 ,  5F003BB08 ,  5F003BH18 ,  5F003BJ12 ,  5F003BJ15 ,  5F003BJ20 ,  5F003BJ90 ,  5F038BH02 ,  5F038BH06 ,  5F038BH13 ,  5F038CA02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AA10 ,  5F048AC05 ,  5F048BA01 ,  5F048BH01 ,  5F048CA03 ,  5F048CA05 ,  5F048CC01 ,  5F048CC09 ,  5F048CC10 ,  5F048CC11 ,  5F048CC15 ,  5F048CC19 ,  5F082AA33 ,  5F082BA02 ,  5F082BA11 ,  5F082BA26 ,  5F082BA28 ,  5F082BA47 ,  5F082BC03 ,  5F082BC09 ,  5F082BC11 ,  5F082BC15 ,  5F082DA01 ,  5F082DA05 ,  5F082FA16 ,  5F082GA02 ,  5F082GA04
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 信号入力回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-029615   出願人：新日本無線株式会社
審査官引用 (3件)

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