半導体レーザ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217276
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064458
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】従来に比べて、注入エネルギーのロスを低減することができ、少ない電力で高い光出力を得ることのできる半導体レーザを提供する。【解決手段】光の波長オーダーの屈折率周期構造を有するホトニック結晶1内には、半導体からなり光の増幅作用を有する活性部2と、所定方向の光学モードにのみ発光エネルギーをカップリングさせる位相シフト部3が配設されている。

請求項（抜粋）：

光の波長オーダーの屈折率周期構造を有するホトニック結晶内に、半導体からなり光の増幅作用を有する活性部と、所定方向の光学モードにのみ発光エネルギーをカップリングさせる位相シフト部とを配設したことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-125670
レーザー素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-235041 出願人：株式会社東芝
面発光レーザとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-037692 出願人：日本電気株式会社

全件表示

前のページに戻る