特許

J-GLOBAL ID：200903066228913371

III族窒化物半導体基板およびその製造方法

発明者： 上山 智 ,  天野 浩 ,  赤崎 勇 ,  大谷 茂樹 ,  須田 淳
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393056
公開番号（公開出願番号）：特開2003-192496
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【課題】 III族窒化物半導体の格子整合基板として有望なZrB2基板の性質を最大限引き出し、素子形成面全体の転位密度が小さい高品質のAlGaN半導体層を最小限の少ない工程によって実現すること。【解決手段】 欠陥密度が107cm-2以下のZrB2単結晶基板上に、Zr-B-N非晶質窒化層が実質的に生成されずに、AlGaN系低温バッファ層を成長または堆積させることのできる基板温度で該低温バッファ層を成膜する第1段階工程と、引き続きAlGaN系単結晶膜を該低温バッファ層上に直接成長させる第2段階工程のみによって素子形成面全体の転位密度が107cm-2以下のAlGaN系半導体層を形成させる。

請求項（抜粋）：

欠陥密度が107cm-2以下のZrB2単結晶基板上に窒素原子との反応によるZr-B-N非晶質窒化層を実質的に生成せずに成長または堆積されたBxAlyGazIn1-x-y-zN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,0≦1-x-y-z≦1)単結晶からなる低温バッファ層と、該低温バッファ層上に成長された素子形成面全体の転位密度が107cm-2以下のBaAlbGacIn1-a-b-cN(0≦a≦1,0≦b≦1,0≦1-a-b-c≦1)単結晶からなる半導体層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体基板。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (5件)：

C30B 29/38 C ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (33件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB06 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AA03 ,  5F045AB17 ,  5F045AC02 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA13 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02 ,  5F045EE17 ,  5F073CA07 ,  5F073CA20 ,  5F073CB05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Heteroepitaxial growth of group-III nitrides on lattice-matched metal boride ZrB2(0001) by molecular