特許
J-GLOBAL ID：200903066229433616

CMOS固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
高木 賀子

高木 賀子 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-025526
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216615
出願日： 2005年02月01日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】CMOS固体撮像装置において、画素内での接合リークの発生を抑制し、白点発生を抑制すると共に、1/fノイズの低減化を図る。【解決手段】 画素内のアンプトランジスタTr 3のゲート電極301上及びソース・ドレイン領域322、323上に、サイドウォール形成材料膜134が存在せず、アンプトランジスタTr3のゲート電極301及びソース・ドレイン領域322,323が非シリサイド化されて成る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
画素内のアンプトランジスタのゲート電極上及びソース・ドレイン領域上に、サイドウォール形成材料膜が存在せず、 前記アンプトランジスタのゲート電極及びソース・ドレイン領域が非シリサイド化されて成る ことを特徴とするCMOS固体撮像装置。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (5件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321F
Fターム (34件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA06 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  5C024CX21 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BC20 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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