特許

J-GLOBAL ID：200903066237599035

半導体装置およびその製造方法

発明者： 池田 圭司
出願人/特許権者： 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-028014
公開番号（公開出願番号）：特開2009-188267
出願日： 2008年02月07日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：

【課題】ソース抵抗をさらに低減する疑似SOI構造の半導体装置の提供。【解決手段】第1および第2のゲート側壁絶縁膜23WA〜23WDをマスクに、前記側壁絶縁膜のそれぞれ外側に、第1および第2の凹部21TA〜21TDを形成する工程と、前記側壁絶縁膜のそれぞれ外側に、第1および第2のダミー側壁膜を形成する工程と、前記ダミー側壁膜23DA〜23DDをマスクに、前記シリコン基板のうち、前記凹部における露出部分を酸化し、それぞれ第1および第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記凹部に第1および第2のシリコン膜を充填する工程と、前記シリコン膜上に金属膜を堆積し、熱処理することにより、シリサイド領域が側壁絶縁膜の外端を超えて、前記ゲート電極23A,23B直下の領域近傍にまで到達するようにシリサイド領域を形成する工程と、を含む。【選択図】図2D

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、 前記ゲート電極の互いに対向する側壁面上に側壁絶縁膜を形成する工程と、 前記側壁絶縁膜をマスクに、前記ゲート電極から見て前記側壁絶縁膜の外側の前記シリコン基板に凹部を形成する工程と、 前記側壁絶縁膜の外側にダミー側壁膜を、前記ダミー側壁膜が、前記凹部のうち前記側壁絶縁膜に隣接する先端部分を覆うように形成する工程と、 前記ダミー側壁膜をマスクに、前記シリコン基板のうち、前記凹部における露出部分を酸化し、シリコン酸化膜を形成する工程と、 前記ダミー側壁膜を、前記側壁絶縁膜に対して選択的に除去し、前記凹部において前記先端部分を露出する工程と、 前記凹部において前記シリコン酸化膜および前記先端部分を覆ってポリシリコンまたはアモルファスシリコンよりなるシリコン膜を充填する工程と、 前記シリコン膜上に金属膜を堆積し、熱処理することにより、前記凹部を、前記シリコン酸化膜を介して充填するシリサイド領域を、前記シリサイド領域の先端部が前記先端部分において、前記側壁絶縁膜の外端を超えて前記シリコン基板中、前記ゲート電極直下の領域近傍にまで到達するように、形成する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/78 301S ,  H01L27/08 321E ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 301P ,  H01L27/08 321F

Fターム (66件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB24 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD37 ,  4M104DD82 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH16 ,  5F048AA00 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA10 ,  5F048BB05 ,  5F048BB11 ,  5F048BC01 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BC11 ,  5F048BC16 ,  5F048BF06 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F140AA10 ,  5F140AA12 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG20 ,  5F140BG42 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BH34 ,  5F140BH35 ,  5F140BH45 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK08 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK17 ,  5F140BK29 ,  5F140BK35 ,  5F140BK39 ,  5F140CF07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• MIS電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-112457   出願人：白土猛英
• 浅い接合のソース/ドレーンを有するMOSトランジスター及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-268706   出願人：三星電子株式会社