特許

J-GLOBAL ID：200903066259956591

超接合ショットキーダイオード

発明者： 上野 勝典
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-268460
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076370
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】オン状態では電流を流し、オフ状態では空乏化する超接合構造を有するショットキーバリアダイオードの、高速スイッチング化を図る。【解決手段】並列pn層15を構成するpコラム10と、ショットキー電極7との間に実質的に高比抵抗のn高抵抗領域11を介在させる。pコラム10とショットキー電極7との間に、高抵抗のp高抵抗領域13を介在させてもよい。

請求項（抜粋）：

第一と第二の主面を有する第一電導型半導体層と、一方の主面に設けられたショットキー電極と、他方の主面にオーミック接触したカソード電極と、第一と第二の主面間に、第一電導型ドリフト領域と第二電導型仕切り領域とを交互に配置した並列pn層とを備える超接合ショットキーダイオードにおいて、前記ショットキー電極と第二電導型仕切り領域との間に第一電導型ドリフト領域より実質的に高比抵抗の第一電導型高抵抗領域を有することを特徴とする超接合ショットキーダイオード

IPC (2件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/91 C ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 D

Fターム (11件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC03 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭53-020774
  
• ショットキバリアダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-102152   出願人：松下電子工業株式会社
• 超接合半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-209267   出願人：富士電機株式会社
• 超接合半導体素子の製造方法および超接合半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-004176   出願人：富士電機株式会社