特許

J-GLOBAL ID：200903066268741573

半導体記憶装置

発明者： 黒崎 一秀
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-303709
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109389
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、メモリセルアレイ内の各々のメモリセルにおいて書き込み速度のばらつきを少なくすることを目的とする。【構成】 本発明の不揮発性半導体記憶装置では、書き込み回路2に対して書き込みアドレスの少なくとも一部が入力される。本発明の書き込み回路2は、入力された書き込みアドレスに応じて、書き込み時にメモリセルアレイ1内のビット線に供給するビット線電圧のレベルを変化させる。本発明の書き込み回路は、入力された書き込みアドレスに基づいて、書き込み回路2のビット線電圧の出力端からのビット線を介した配線距離が長いメモリセルほど、そのメモリセルに対して書き込み時に供給するビット線電圧のレベルを大きくするように動作する。

請求項（抜粋）：

複数のビット線およびワード線の交差位置に配置され、前記ビット線に接続された複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、アドレス信号が入力され、書き込み動作時に、前記アドレス信号によって選択されたメモリセルが接続されたビット線に所定のビット線電圧を供給する書き込み回路とを有する半導体記憶装置であって、前記書き込み回路は、前記ビット線電圧のレベルを、前記アドレス信号に基づいて、前記メモリセルアレイ内の前記選択されたメモリセルの位置に応じて変化させることを特徴とする半導体記憶装置。

Fターム (8件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD09 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-056185   出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
• 特開平2-037839
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-173097   出願人：富士通株式会社
• 特開昭64-033794