セラミックス回路基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鍬田充生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-020697
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201346
出願日： 2006年01月30日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】半田層が介在することなく、放熱性、導電性、セラミックス基板と導体回路との接合信頼性、耐久性に優れるセラミックス回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】(A)セラミックス基板Bの表面に、第1のペーストを塗布して塗布層2を形成し、(B)この塗布層2を焼成して基板Bに対して密着性の高い第1のメタライズ層3を形成し、(C)このメタライズ層3に第2のペーストを塗布して、塗布層4を形成し、(D)この塗布層4を焼成して放熱性の高い第2のメタライズ層5を形成し、選択的に厚膜の放熱性導体回路1を有する回路基板を製造する。第1のペーストに比べて、銅粉などの金属粒子成分に対するガラス成分の割合が少ない第2のペーストを用いることにより、基板に対する密着性及び放熱性の高い放熱性導体回路1を形成できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

セラミックス基板の表面に、選択的に厚膜の放熱性導体回路が形成された回路基板であって、前記放熱性導体回路が、導電性及び熱伝導性を有する金属粒子成分の焼結体で構成されているセラミックス回路基板。

IPC (6件)：

H05K 1/02 , H05K 3/12 , H05K 1/09 , H01L 23/13 , H01L 23/12 , H01L 23/36

FI (9件)：

H05K1/02 Q , H05K1/02 L , H05K3/12 610G , H05K3/12 610J , H05K1/09 A , H01L23/12 C , H01L23/12 J , H01L23/12 Q , H01L23/36 C

Fターム (43件)：

4E351AA07 , 4E351BB01 , 4E351BB24 , 4E351BB31 , 4E351BB35 , 4E351CC13 , 4E351CC22 , 4E351CC23 , 4E351DD04 , 4E351DD33 , 4E351DD52 , 4E351EE08 , 4E351GG04 , 5E338AA01 , 5E338AA18 , 5E338CC04 , 5E338CC08 , 5E338CD03 , 5E338CD11 , 5E338EE02 , 5E338EE11 , 5E343AA02 , 5E343AA23 , 5E343AA39 , 5E343BB08 , 5E343BB14 , 5E343BB16 , 5E343BB24 , 5E343BB59 , 5E343BB73 , 5E343DD03 , 5E343ER33 , 5E343ER35 , 5E343GG01 , 5E343GG16 , 5F136BB04 , 5F136FA03 , 5F136FA14 , 5F136FA16 , 5F136FA74 , 5F136FA75 , 5F136FA82 , 5F136GA31

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平03-18087号公報(特許請求の範囲)

審査官引用 (3件)

銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-036240 出願人：三ツ星ベルト株式会社
特開昭63-047992
AlN基板用導電パターンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-344138 出願人：株式会社トーキン

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