特許

J-GLOBAL ID：200903066290197003

電流検出回路

発明者： 嶋田 英志
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-312194
公開番号（公開出願番号）：特開2007-121052
出願日： 2005年10月27日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】従来、過電圧保護回路が設けられた電流検出回路においては、電流検出の精度が低下してしまう。【解決手段】電流検出回路は、電力用MOSFET1(第1の半導体スイッチング素子)、センスMOSFET2(第2の半導体スイッチング素子)、差動増幅器3、ツェナーダイオード33(第1の電圧クランプ素子)、ツェナーダイオード34(第2の電圧クランプ素子)、MOSFET6(可変抵抗素子)、ディプリーション型MOSFET31(第1のMOSFET)、およびディプリーション型MOSFET32(第2のMOSFET)を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の固定電位が与えられる第1の端子と、一端に第2の固定電位が与えられる負荷の他端に接続される第2の端子と、第1の電流制御端子とを有する第1の半導体スイッチング素子と、 前記第1の端子に接続された第3の端子と、第4の端子と、前記第1の電流制御端子に接続された第2の電流制御端子とを有する第2の半導体スイッチング素子と、 正の入力端子と、負の入力端子とを有する差動増幅器と、 前記第1の端子と前記正の入力端子との間の経路中に設けられた第1の電圧クランプ素子と、 前記第1の端子と前記負の入力端子との間の経路中に設けられた第2の電圧クランプ素子と、 前記第4の端子に接続された第5の端子と、一端に前記第2の固定電位が与えられた検出抵抗の他端に接続される第6の端子とを有し、前記差動増幅器の出力値によって抵抗値が制御される可変抵抗素子と、 前記第2の端子と前記正の入力端子との間の経路中に設けられた第1のMOSFETと、 前記第4の端子と前記負の入力端子との間の経路中に設けられた第2のMOSFETと、 を備えることを特徴とする電流検出回路。

IPC (4件)：

G01R 19/165 ,  G01R 19/00 ,  H03K 17/08 ,  H03K 17/687

FI (4件)：

G01R19/165 L ,  G01R19/00 B ,  H03K17/08 C ,  H03K17/687 A

Fターム (21件)：

2G035AA16 ,  2G035AB02 ,  2G035AC01 ,  2G035AC02 ,  2G035AD03 ,  2G035AD08 ,  2G035AD20 ,  5J055AX11 ,  5J055AX34 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055DX12 ,  5J055DX54 ,  5J055EX07 ,  5J055EY01 ,  5J055EY13 ,  5J055EY21 ,  5J055FX05 ,  5J055FX13 ,  5J055FX38 ,  5J055GX01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電力用半導体構成要素の負荷電流検出用回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-165204   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特許第2628694号公報
  
• 電流検出回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-223818   出願人：株式会社デンソー