光励起CVD装置および光励起CVD方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267379
公開番号（公開出願番号）：特開平9-111457
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：

【要約】【課題】従来の光励起CVD法が有していた窓曇り問題を解決する新しいCVD装置およびCVD方法を提供する。【解決手段】原料暴露室19と光励起室21とを隔離し、光励起室に面した励起窓への原料の拡散を阻止すると共に、移動するサセプタ13を用いて原料暴露室19と光励起室21に基板15を反復搬送させることより、基板上へ膜形成を行わせる光励起CVD装置。

請求項（抜粋）：

原料蒸気導入口、原料蒸気排出口、基板を支持するサセプタおよび外設あるいは内設された光励起手段を配設した反応器と、該反応器の原料蒸気導入口に、所定の濃度・流量の複数の原料蒸気を与える原料供給系と、該反応器の原料蒸気排出口から反応器内部の生成ガスおよび過剰な原料蒸気を排気する真空排気系と、から成る光励起化学気相成長装置すなわち光励起CVD装置において、該反応器器壁と該サセプタ上面とで囲まれる空間を、1個以上の原料導入口を有する原料暴露室と、1個以上の原料導入口と光励起手段を有する光励起室とに分割し、かつ該原料暴露室と該光励起室との間で、基板の相互移動を可能ならしめる基板搬送手段を該反応器に付設したことを特徴とする光励起CVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/48 , H01L 21/205 , H01L 21/316

FI (3件)：

C23C 16/48 , H01L 21/205 , H01L 21/316 X

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-149676 出願人：株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社
特開平4-006840
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-094719 出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (3件)

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-149676 出願人：株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社
特開平4-006840
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-094719 出願人：富士電機株式会社

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