特許
J-GLOBAL ID:200903066313249570

基板処理方法および基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 川崎 実夫 ,  稲岡 耕作
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-024505
公開番号(公開出願番号):特開2004-235559
出願日: 2003年01月31日
公開日(公表日): 2004年08月19日
要約:
【課題】基板表面に凹部が形成されている場合であっても、その凹部の内壁面を含めて、基板の表面全域を良好に処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】微細なトレンチが形成されたウエハWに対して、気相エッチング処理部20において、ふっ酸蒸気等を用いた気相エッチング処理が行われる。その後、液処理部30では、二流体ノズルを用いて処理液の液滴をウエハWの表面に吹き付ける処理が行われ、これにより、トレンチの内部の不要物がウエハW外に排除される。次いで、乾燥処理部40において、ウエハWの加熱および減圧乾燥処理が行われ、トレンチの内部の水分が蒸発させられる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板の表面に薬液を含む蒸気またはケミカルガスを含む蒸気を供給する蒸気供給工程と、 この蒸気供給工程の後に、気体と液体とが混合されて生成された液滴を上記基板の表面に向けて噴射する液滴噴射工程と、 この液滴噴射工程の後に、上記基板を乾燥させる乾燥工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件):
H01L21/304 ,  H01L21/3065
FI (6件):
H01L21/304 651B ,  H01L21/304 643D ,  H01L21/304 651H ,  H01L21/304 651K ,  H01L21/304 651M ,  H01L21/302 102
Fターム (8件):
5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004DA00 ,  5F004DA20 ,  5F004EA10 ,  5F004EB04 ,  5F004FA07
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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