特許
J-GLOBAL ID：200903090202156546
半導体基板の洗浄方法ならびに洗浄装置および半導体基板製造用成膜方法および成膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-083956
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275085
出願日： 1996年04月05日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】高アスペクト比コンタクトホールや高段差部であっても、ウォータマークを残すことなく高清浄に洗浄する。【解決手段】ウエット洗浄、真空乾燥、ドライ洗浄を、この順で行なう。また、ドライ洗浄後に被洗浄物の清浄度を検査し、基準値に達していなければ、洗浄処理の少なくとも一部を再実行する。【効果】半導体装置等のエレクトロニクス部品の歩留まりを高めることができる。
請求項（抜粋）：
被洗浄物表面の汚染物質を、洗浄液に接触させることにより除去するウエット洗浄工程と、被洗浄物周囲の雰囲気を減圧にすることにより、被洗浄物表面を乾燥させる乾燥工程と、被洗浄物表面の汚染物質を、ドライエッチングにより除去するドライ洗浄工程とを、この順で備えることを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/304 351
H01L 21/304 341 M
, H01L 21/304 341 D
, H01L 21/304 351 S
, H01L 21/304 351 V
