特許
J-GLOBAL ID：200903066320768930
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-282318
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125915
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】内部Tr領域のフィールド酸化膜がオーバーエッチングにより膜減りすると、拡散層上にシリサイド層を形成した場合、シリサイド層とシリコン基板がショートし、所望の回路特性が得られない。【解決手段】シリコン基板1上にフィールド酸化膜2と、ゲート電極4、拡散層6等からなる素子を形成したのち、全面に酸化膜7を形成する。次で入出力Tr領域上とフィールド酸化膜2をフォトレジスト膜で完全に覆い、内部Tr領域上の絶縁膜7を除去する。次で内部Tr領域の拡散層6上にTiシリサイド層8を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された素子分離用のフィールド酸化膜と、このフィールド酸化膜に接して形成されソース・ドレインを構成する拡散層と、この拡散層上に形成されたシリサイド層とを有する半導体装置において、前記シリサイド層は前記フィールド酸化膜と離間して形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/28 301
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 29/78 301 P
, H01L 21/28 301 T
, H01L 27/08 321 F
