特許

J-GLOBAL ID：200903066338520030

高純度テトラキス(ジアルキルアミノ)ハフニウムの製造法

発明者： 鎌谷 武明 ,  川茂 惠正
出願人/特許権者： 新興化学工業株式会社
代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-197975
公開番号（公開出願番号）：特開2005-263771
出願日： 2004年07月05日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】高純度テトラキス(ジアルキルアミノ)ハフニウムを収率よく製造しうる方法を提供すること。【解決手段】不活性ガス雰囲気下、含水量が100ppm以下である有機溶媒中で、四塩化ハフニウムとジアルキルアミノリチウムとを反応させた後、得られた粗製テトラキス(ジアルキルアミノ)ハフニウムを分留することを特徴とする高純度テトラキス(ジアルキルアミノ)ハフニウムの製造法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

不活性ガス雰囲気下、含水量が100ppm以下である有機溶媒中で、四塩化ハフニウムとジアルキルアミノリチウムとを反応させた後、得られた粗製テトラキス(ジアルキルアミノ)ハフニウムを分留することを特徴とする高純度テトラキス(ジアルキルアミノ)ハフニウムの製造法。

IPC (1件)：

C07F7/00

FI (1件)：

C07F7/00 Z

Fターム (7件)：

4H049VN07 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ35 ,  4H049VR54 ,  4H049VS12 ,  4H049VV22 ,  4H049VW05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 膜形成材料、膜形成方法、及び素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-059321   出願人：株式会社トリケミカル研究所
• スパッタターゲット、ゲート絶縁膜および電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-195941   出願人：株式会社東芝
• 安定でかつ非自燃性のリチウムジオルガノアミド溶液並びにその製造方法及びその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-257560   出願人：メタルゲゼルシャフト・アクチエンゲゼルシャフト
• 特開昭62-260722