特許
J-GLOBAL ID：200903044608618310
スパッタターゲット、ゲート絶縁膜および電子部品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉武 賢次 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-195941
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017491
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 膜厚均一性が高い酸化ハフニウムあるいは酸化ジルコニウムのゲート絶縁膜を成膜可能なスパッタターゲット、絶縁膜及び電子部品の提供。【解決手段】 ハフニウム、ジルコニウムまたはそれらの合金からなるスパッタターゲットであって、そのスパッタされる面の平均結晶粒径が500μm以下でありかつ平均結晶粒径のばらつきが20%以内であることを特徴とする、スパッタターゲット、酸素ガス雰囲気中で、上記スパッタターゲットを用いて成膜された酸化ハフニウムまたは酸化ジルコニウム膜からなることを特徴とするゲート絶縁膜、及び上記のゲート絶縁膜を具備することを特徴とする電子部品。
請求項（抜粋）：
ハフニウム、ジルコニウムまたはそれらの合金からなるスパッタターゲットであって、そのスパッタされる面の平均結晶粒径が500μm以下でありかつ平均結晶粒径のばらつきが20%以内であることを特徴とする、スパッタターゲット。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C23C 14/34
, H01L 29/78
H01L 21/316 Y
, C23C 14/34 A
, H01L 29/78 301 G
4K029BA43
, 4K029BC00
, 4K029BD01
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029DC04
, 5F058BC03
, 5F058BF13
, 5F058BJ04
, 5F140AA19
, 5F140AA39
, 5F140BA01
, 5F140BD11
, 5F140BE09
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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