特許
J-GLOBAL ID：200903073176493588

膜形成材料、膜形成方法、及び素子

発明者：
町田 英明

町田 英明 について

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大下 祥雄

大下 祥雄 について

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石川 真人

石川 真人 について


出願人/特許権者：
株式会社トリケミカル研究所

株式会社トリケミカル研究所 について


代理人 (1件)： 宇高 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-059321
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257967
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 高純度で非晶質のゲート酸化膜をCVDで作成できる技術を提供する。【解決手段】 Zr,Hf,Lnの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の元素、Si、及びOが用いられて構成されてなるゲート酸化膜を形成する為の膜形成材料であって、前記ゲート酸化膜におけるSi源としてSi(NCO)xH4-x(但し、xは1〜4の整数)を用いる。
請求項（抜粋）：
Zr,Hf,Lnの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の元素、Si、及びOが用いられて構成されてなるゲート酸化膜を形成する為の膜形成材料であって、前記ゲート酸化膜におけるSi源としてSi(NCO)xH4-x(但し、xは1〜4の整数)が用いられることを特徴とする膜形成材料。
Fターム (13件)：
5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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